泉州天星氣體解讀常用工業氣體的應用范圍

泉州天(tian)星氣體解讀常用的應用范圍

1. 特種(zhong)氣(qi)體(ti)(ti)　(Specialty gases) ：指(zhi)那些在特定領域中應用(yong)的, 對氣(qi)體(ti)(ti)有(you)特殊要求(qiu)的純氣(qi)、高純氣(qi)或(huo)由高純單質氣(qi)體(ti)(ti)配制(zhi)的二元或(huo)多元混合氣(qi)。特種(zhong)氣(qi)體(ti)(ti)門類繁多, 通常可(ke)區分為電子氣(qi)體(ti)(ti)、標準氣(qi)、環(huan)保(bao)氣(qi)、醫(yi)用(yong)氣(qi)、焊接(jie)氣(qi)、殺菌氣(qi)等, 大(da)范圍用(yong)于電子、電力、石油化工、采(cai)礦、鋼鐵、有(you)色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huan)境(jing)監(jian)測、醫(yi)學研究及(ji)診(zhen)斷、食品(pin)保(bao)鮮等領域。

2、標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)氣(qi)(qi)體　(Standard gases) ：標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)氣(qi)(qi)體屬于(yu)標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)物質(zhi)。標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)物質(zhi)是(shi)高度均勻的(de)(de)(de)(de)、良好穩(wen)定(ding)和(he)(he)量(liang)(liang)(liang)值(zhi)(zhi)準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)確的(de)(de)(de)(de)測(ce)(ce)定(ding)標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun), 它(ta)們(men)具有復現、保(bao)存(cun)和(he)(he)傳遞(di)(di)量(liang)(liang)(liang)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)基本作用(yong), 在物理(li)、化(hua)(hua)學、生物與工程(cheng)(cheng)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)領域中(zhong)用(yong)于(yu)校. d( [準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)儀器和(he)(he)測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng), 評價測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)方法的(de)(de)(de)(de)準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)確度和(he)(he)檢測(ce)(ce)實驗室的(de)(de)(de)(de)檢測(ce)(ce)能力, 確定(ding)材料(liao)或產(chan)品的(de)(de)(de)(de)特性(xing)量(liang)(liang)(liang)值(zhi)(zhi), 進行(xing)量(liang)(liang)(liang)值(zhi)(zhi)仲裁(cai)等(deng)。大型乙烯(xi)廠(chang)、合成氨廠(chang)及其它(ta)石化(hua)(hua)企業, 在裝置(zhi)開車(che)、停車(che)和(he)(he)正常(chang)生產(chan)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中(zhong)需要(yao)(yao)幾(ji)十種(zhong)純(chun)氣(qi)(qi)和(he)(he)幾(ji)+百種(zhong)多(duo)組(zu)分標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)混合氣(qi)(qi), 用(yong)來校準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)、定(ding)標生產(chan)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中(zhong)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)在線(xian)分析(xi)(xi)(xi)儀器和(he)(he)分析(xi)(xi)(xi)原料(liao)及產(chan)品質(zhi)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)儀器。標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)氣(qi)(qi)還可(ke)用(yong)于(yu)環(huan)境(jing)監測(ce)(ce), 有毒的(de)(de)(de)(de)有機物測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang), 汽(qi)車(che)排放氣(qi)(qi)測(ce)(ce)試, 天然(ran)氣(qi)(qi)BTU 測(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang), 液化(hua)(hua)石油(you)氣(qi)(qi)校正標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun), 超(chao)臨界流體工藝等(deng)。標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)氣(qi)(qi)視氣(qi)(qi)體組(zu)分數(shu)區分為(wei)二元、三元和(he)(he)多(duo)元標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)氣(qi)(qi)體; 配(pei)氣(qi)(qi)準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)度要(yao)(yao)求以配(pei)氣(qi)(qi)允(yun)差(cha)和(he)(he)分析(xi)(xi)(xi)允(yun)差(cha)來表(biao)征(zheng);比較(jiao)(jiao)通用(yong)的(de)(de)(de)(de)有SE2M I 配(pei)氣(qi)(qi)允(yun)差(cha)標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun), 但各公司均有企業標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)。組(zu)分較(jiao)(jiao)低(di)度為(wei)10- 6級, 組(zu)分數(shu)可(ke)多(duo)達20余種(zhong)配(pei)制方法可(ke)采用(yong)重量(liang)(liang)(liang)法, 然(ran)后(hou)用(yong)色譜分析(xi)(xi)(xi)校核, 也可(ke)按標準(zhun)(zhun)(zhun)(zhun)傳遞(di)(di)程(cheng)(cheng)序(xu)進行(xing)傳遞(di)(di)。

3、 電(dian)子(zi)氣體(ti)(ti)　(Elect ron ic gases) ：半導體(ti)(ti)工(gong)業用的氣體(ti)(ti)統稱(cheng)電(dian)子(zi)氣體(ti)(ti)。按其(qi)門類可(ke)分(fen)為純(chun)氣、高純(chun)氣和半導體(ti)(ti)特(te)殊材料氣體(ti)(ti)三大(da)類。電(dian)子(zi)氣體(ti)(ti)按純(chun)度等級和使(shi)用場合(he)，可(ke)分(fen)為電(dian)子(zi)級、L S I (大(da)規模集(ji)(ji)成電(dian)路) 級、VL S I (超大(da)規模集(ji)(ji)成電(dian)路) 級和UL S I (特(te)大(da)規模集(ji)(ji)成電(dian)路)級。

4. 外延(yan)氣(qi)(qi)體(ti)　(Cp itax ial gases) ：在仔細選擇的(de)(de)(de)襯(chen)底上(shang)采用化(hua)學氣(qi)(qi)相(xiang)淀(dian)積(ji)(ji)(CVD) 的(de)(de)(de)方法生長(chang)一層或多(duo)層材料(liao)所用氣(qi)(qi)體(ti)稱(cheng)為外延(yan)氣(qi)(qi)體(ti)。硅(gui)(gui)外延(yan)氣(qi)(qi)體(ti)有4 種(zhong), 即硅(gui)(gui)烷(wan)、二(er)氯二(er)氫硅(gui)(gui)、三氯氫硅(gui)(gui)和四氯化(hua)硅(gui)(gui), 主要用于外延(yan)硅(gui)(gui)淀(dian)積(ji)(ji), 多(duo)晶硅(gui)(gui)淀(dian)積(ji)(ji), 淀(dian)積(ji)(ji)氧化(hua)硅(gui)(gui)膜, 淀(dian)積(ji)(ji)氮化(hua)硅(gui)(gui)膜, 太陽(yang)電池和其他光感受器的(de)(de)(de)非晶硅(gui)(gui)膜淀(dian)積(ji)(ji)。外延(yan)生長(chang)是一種(zhong)單晶材料(liao)淀(dian)積(ji)(ji)并生長(chang)在襯(chen)底表面上(shang)的(de)(de)(de)過程。此(ci)外延(yan)層的(de)(de)(de)電阻率往往與襯(chen)底不同(tong)。

5. 蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)氣體　(Etch ing gases) ：蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)就(jiu)是把基(ji)片上無光刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)掩蔽的(de)(de)加工(gong)(gong)表面如氧化(hua)硅膜(mo)、金屬膜(mo)等蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)掉, 而(er)使有(you)光刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)掩蔽的(de)(de)區域保存下來(lai), 這樣(yang)便在(zai)基(ji)片表面得到所需要的(de)(de)成(cheng)像圖形。蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)方(fang)式有(you)濕法化(hua)學蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)和干法化(hua)學蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)。干法蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)所用氣體稱蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)氣體, 通(tong)常多為(wei)氟(fu)化(hua)物氣體, 例如四氟(fu)化(hua)碳、三氟(fu)化(hua)氮、六氟(fu)乙烷、全氟(fu)丙烷、三氟(fu)甲(jia)烷等。干法蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)由于(yu)蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)方(fang)向性強、工(gong)(gong)藝(yi)控制精確、方(fang)便、無脫膠(jiao)現象、無基(ji)片損傷和沾污。

6. 摻(chan)(chan)雜(za)氣(qi)體(Dopant Gases)：在半導體器(qi)件和集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)制造(zao)中, 將(jiang)某(mou)種或某(mou)些雜(za)質(zhi)摻(chan)(chan)入半導體材料(liao)內, 以使材料(liao)具有所(suo)(suo)需要的導電(dian)(dian)類型和一定的電(dian)(dian)阻率, 用來制造(zao)PN結(jie)、電(dian)(dian)阻、埋層等(deng)。摻(chan)(chan)雜(za)工藝所(suo)(suo)用的氣(qi)體摻(chan)(chan)雜(za)源被稱(cheng)為摻(chan)(chan)雜(za)氣(qi)體。主要包括(kuo)砷(shen)(shen)烷、磷烷、三氟(fu)(fu)化(hua)(hua)磷、五氟(fu)(fu)化(hua)(hua)磷、三氟(fu)(fu)化(hua)(hua)砷(shen)(shen)、五氟(fu)(fu)化(hua)(hua)砷(shen)(shen)、三氯化(hua)(hua)硼和乙硼烷等(deng)。

7. 熏蒸(zheng)氣(qi)(qi)(qi)體(Sterilizing Gases) ：具有(you)(you)殺菌作(zuo)用(yong)的(de)氣(qi)(qi)(qi)體稱熏蒸(zheng)氣(qi)(qi)(qi)體。常用(yong)的(de)氣(qi)(qi)(qi)體品種有(you)(you)環(huan)氧(yang)乙(yi)(yi)(yi)烷(wan)、磷烷(wan)、溴甲(jia)烷(wan)、溴甲(jia)醛、環(huan)氧(yang)丙烷(wan)等(deng)。其(qi)滅菌原理是利(li)用(yong)烷(wan)化作(zuo)用(yong), 使(shi)(shi)微生物(wu)組織內(nei)維(wei)持(chi)生命不(bu)可(ke)缺少(shao)的(de)物(wu)質惰化。 經常使(shi)(shi)用(yong)的(de)是以不(bu)同比例配制的(de)環(huan)氧(yang)乙(yi)(yi)(yi)烷(wan)和二氧(yang)化碳的(de)混(hun)(hun)合氣(qi)(qi)(qi), 根據用(yong)途(tu)不(bu)同, 環(huan)氧(yang)乙(yi)(yi)(yi)烷(wan)的(de)含量可(ke)以是10 %、20 %和30 %等(deng)。也可(ke)采用(yong)環(huan)氧(yang)乙(yi)(yi)(yi)烷(wan)和氟(fu)利(li)昂(ang)(ang)12 的(de)混(hun)(hun)合氣(qi)(qi)(qi),環(huan)氧(yang)乙(yi)(yi)(yi)烷(wan)與(yu)氟(fu)利(li)昂(ang)(ang)11 和氟(fu)利(li)昂(ang)(ang)12 的(de)混(hun)(hun)合氣(qi)(qi)(qi)等(deng)。殺菌效果與(yu)各組分濃度、溫(wen)度、濕度、時間和壓力等(deng)因素有(you)(you)關。

8. 焊(han)(han)(han)(han)接保護氣(qi)體(ti)(Welding Gases)：氣(qi)體(ti)保護焊(han)(han)(han)(han)由(you)于(yu)具有(you)焊(han)(han)(han)(han)接質量(liang)好, 效率(lv)高, 易實現自動化(hua)等優點而(er)得以(yi)迅(xun)速發展。焊(han)(han)(han)(han)接保護氣(qi)體(ti)可以(yi)是單元(yuan)氣(qi)體(ti), 也有(you)二(er)元(yuan)、三元(yuan)混(hun)合(he)氣(qi)。采用焊(han)(han)(han)(han)接保護氣(qi)的(de)目的(de)在于(yu)提高焊(han)(han)(han)(han)縫(feng)質量(liang), 減少焊(han)(han)(han)(han)縫(feng)加熱作用帶(dai)寬度, 避免材質氧(yang)化(hua)。單元(yuan)氣(qi)體(ti)有(you)氬(ya)氣(qi)、二(er)氧(yang)化(hua)碳(tan), 二(er)元(yuan)混(hun)合(he)氣(qi)有(you)氬(ya)和(he)氧(yang), 氬(ya)和(he)二(er)氧(yang)化(hua)碳(tan), 氬(ya)和(he)氦, 氬(ya)和(he)氫混(hun)合(he)氣(qi)。三元(yuan)混(hun)合(he)氣(qi)有(you)氦、氬(ya)、二(er)氧(yang)化(hua)碳(tan)混(hun)合(he)氣(qi)。應用中視焊(han)(han)(han)(han)材不(bu)同選擇不(bu)同配(pei)比的(de)焊(han)(han)(han)(han)接混(hun)合(he)氣(qi)。

9. 離(li)(li)(li)子注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)氣(qi)( Gases for Ion Implantation)：離(li)(li)(li)子注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)是把離(li)(li)(li)子化的雜(za)質, 例(li)如(ru)P + 、B + 、As+加速到高能量(liang)狀態,然后注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)到預定的襯底上。離(li)(li)(li)子注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)技術在控制(zhi)V th(閾值(zhi)電(dian)壓) 方面應用(yong)得范(fan)圍比較廣，雜(za)質量(liang)可(ke)通過測(ce)量(liang)離(li)(li)(li)子束電(dian)流而求得。離(li)(li)(li)子注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)工(gong)藝所(suo)用(yong)氣(qi)體稱離(li)(li)(li)子注(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)入(ru)(ru)氣(qi), 有(you)磷系(xi)、硼(peng)系(xi)和砷系(xi)氣(qi)體。

泉州市(shi)天星氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)有限公司(www.qztxqt.com)主要產品(pin)有福建高(gao)純(chun)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti),福建醫用氧氣(qi)(qi)(qi),,福建液態氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti),氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)管道安(an)裝等.聯系(xi)人陳先生：