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电子气体
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Electronic gas
产品详情(qing)

天星(xing)致力(li)于为电子行业提(ti)供好的产(chan)品(pin)、技术和(he)(he)服务。通过我们的ISO体系认证和(he)(he)质(zhi)量保证体系,过程控(kong)制,保持严格的程序来监(jian)控(kong)和(he)(he)提(ti)高产(chan)品(pin)质(zhi)量。

天(tian)星的(de)(de)电子气体(ti)在半导体(ti)器件、光(guang)伏、液(ye)晶(jing)面板(ban)的(de)(de)制(zhi)造中发挥着重要(yao)作用。这些气体(ti)用于制(zhi)造过程的(de)(de)所有(you)阶段 – 从形成(cheng)单个(ge)硅晶(jing)体(ti)的(de)(de)生长,到晶(jing)圆制(zhi)造,至最终组装(zhuang)和包装(zhuang)。

前驱体(ti)气体(ti)

硅烷(wan)和二氯(lv)硅烷(wan)等硅前体气体用于外延和化(hua)学气相(xiang)沉积工艺,以沉积硅或硅化(hua)合物(wu)层(ceng)。

掺杂气体(ti)

掺(chan)杂剂气体是可控杂质(zhi)的(de)来源,用于改(gai)变半(ban)导体材(cai)料的(de)局(ju)(ju)部电气性(xing)能。掺(chan)杂剂对分子晶(jing)格的(de)局(ju)(ju)部结构贡献了电子,改(gai)变了材(cai)料的(de)导电性(xing)能。

掺(chan)杂(za)剂(ji)有(you)液态、固态和气(qi)态。常用的掺(chan)杂(za)气(qi)体(ti)有(you)砷烷(wan)、磷(lin)(lin)烷(wan)、乙(yi)硼烷(wan)。掺(chan)杂(za)剂(ji)用于外(wai)(wai)延沉(chen)积(ji)、扩散和离子注入(ru)。砷烷(wan)和磷(lin)(lin)烷(wan)的增(zeng)长得(de)益于气(qi)相(xiang)外(wai)(wai)延法(VPE)和金(jin)属有(you)机气(qi)相(xiang)沉(chen)积(ji)法(VMOCVD)的广泛应(ying)用。

蚀刻(ke)剂气体

蚀刻工(gong)艺中(zhong)使(shi)用(yong)到多种气(qi)体。卤素(su)烃通常用(yong)于蚀刻硅化合物(wu)或用(yong)于腔室(shi)(shi)的(de)清(qing)洁,氯或氟(fu)(fu)化合物(wu)用(yong)于金属蚀刻。气(qi)体的(de)选(xuan)择(ze)在很大程(cheng)度上取决于给定的(de)气(qi)体混合物(wu)选(xuan)择(ze)性地蚀刻一层(ceng)薄膜(mo)的(de)能力,并能够(gou)对轮廓(kuo)进(jin)行控制。三(san)氟(fu)(fu)化氮(dan)是CVD腔室(shi)(shi)清(qing)洁的(de)气(qi)体。

工艺(yi)气(qi)体

高纯、超(chao)高纯的氩、氦(hai)、氢(qing)和(he)氮,在电子工(gong)(gong)艺中用于系(xi)(xi)统的吹扫(sao)和(he)保压,防止管路系(xi)(xi)统受到污染。溅射镀膜(mo)工(gong)(gong)艺中,氩是用来电离和(he)启(qi)动溅射过程的主要气体(ti)。

电(dian)子用混合气体

在天星电子(zi)特气(qi)(qi)(苏州)工厂,混(hun)合气(qi)(qi)体(ti)按(an)照电子(zi)行(xing)业(ye)要(yao)(yao)求的(de)严格的(de)公差(cha)进行(xing)混(hun)合配(pei)(pei)制。混(hun)合气(qi)(qi)配(pei)(pei)制系统旨在减少气(qi)(qi)瓶间和生产批(pi)次间的(de)差(cha)异。混(hun)合气(qi)(qi)配(pei)(pei)制系统使用计算机建模能保证(zheng)产品中的(de)杂质水平(ping)和组分公差(cha)得到有(you)效的(de)控(kong)制,符合行(xing)业(ye)要(yao)(yao)求的(de)规格。


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产品详情

天星致(zhi)力(li)于(yu)为电子行业提(ti)供(gong)好的产(chan)品、技术和服务。通过我们的ISO体系(xi)认证和质量保(bao)证体系(xi),过程控(kong)制,保(bao)持严格的程序来监控(kong)和提(ti)高产(chan)品质量。

天星的(de)电子(zi)气(qi)体(ti)(ti)在半导体(ti)(ti)器件(jian)、光(guang)伏、液(ye)晶面板的(de)制造中(zhong)发挥着重要作(zuo)用(yong)。这些气(qi)体(ti)(ti)用(yong)于制造过程的(de)所(suo)有阶(jie)段 – 从形成(cheng)单个硅晶体(ti)(ti)的(de)生长,到晶圆制造,至(zhi)最(zui)终(zhong)组装和包装。

前驱体气体

硅烷和二氯(lv)硅烷等硅前体气体用于外延和化(hua)学气相沉积工艺,以沉积硅或硅化(hua)合物(wu)层。

掺杂(za)气体(ti)

掺杂剂气体是可控杂质的来(lai)源,用(yong)于(yu)改变(bian)半导体材料(liao)的局部电气性能(neng)。掺杂剂对(dui)分子晶格的局部结构(gou)贡献了(le)电子,改变(bian)了(le)材料(liao)的导电性能(neng)。

掺(chan)杂剂有(you)液态(tai)、固态(tai)和(he)气态(tai)。常用的掺(chan)杂气体有(you)砷烷、磷(lin)烷、乙(yi)硼烷。掺(chan)杂剂用于外延沉(chen)积、扩散和(he)离子注入。砷烷和(he)磷(lin)烷的增长得益于气相外延法(VPE)和(he)金(jin)属有(you)机气相沉(chen)积法(VMOCVD)的广(guang)泛应用。

蚀刻剂气体

蚀刻工艺中(zhong)使用到多种气(qi)(qi)体(ti)。卤(lu)素烃通常用于蚀刻硅化(hua)合物(wu)或用于腔室的清洁(jie),氯或氟化(hua)合物(wu)用于金(jin)属(shu)蚀刻。气(qi)(qi)体(ti)的选择(ze)在很大程度上取决于给定的气(qi)(qi)体(ti)混合物(wu)选择(ze)性(xing)地蚀刻一层薄膜的能(neng)力,并能(neng)够对轮廓进行控制。三(san)氟化(hua)氮是(shi)CVD腔室清洁(jie)的气(qi)(qi)体(ti)。

工艺气体

高纯(chun)、超高纯(chun)的氩(ya)、氦、氢(qing)和(he)(he)氮,在(zai)电(dian)子工(gong)艺中用于系统的吹扫和(he)(he)保压,防(fang)止管路系统受到污染。溅射(she)(she)镀膜工(gong)艺中,氩(ya)是用来电(dian)离和(he)(he)启动溅射(she)(she)过程的主要气体。

电子用(yong)混合气(qi)体

在天星电子特气(苏州)工厂,混(hun)(hun)合气体按照电子行(xing)业要求的(de)严格(ge)的(de)公差(cha)进行(xing)混(hun)(hun)合配(pei)(pei)制。混(hun)(hun)合气配(pei)(pei)制系统旨(zhi)在减少气瓶间(jian)和(he)生产批次间(jian)的(de)差(cha)异。混(hun)(hun)合气配(pei)(pei)制系统使用计算(suan)机建模(mo)能保证产品(pin)中的(de)杂(za)质水(shui)平和(he)组分公差(cha)得到有效的(de)控制,符(fu)合行(xing)业要求的(de)规格(ge)。


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