隨著微電(dian)子工業的(de)(de)(de)發展,超大(da)規模集成電(dian)路(lu)制(zhi)造的(de)(de)(de)硅片(pian)尺寸越做越大(da),要(yao)求半導(dao)體制(zhi)造工藝中的(de)(de)(de)氣體品(pin)質相(xiang)應越來越高,對氣體中雜(za)質和(he)露點要(yao)求極為嚴(yan)格,需(xu)要(yao)達到ppb、ppt級(ji),塵埃粒徑求控制(zhi)小(xiao)于0.1~0.05m的(de)微粒,因此(ci)對(dui)的(de)輸送管路系(xi)統提(ti)出了非常高(gao)的(de)要(yao)求 。那么高(gao)純氣體(ti)輸送管路如何(he)避免微粒污染,下面泉(quan)州天星(xing)氣體(ti)就來為大家(jia)進行介紹。
氣體(ti)管(guan)道工程
工藝氣體中(zhong)的雜質( 02、H202、 C02、 C0,等),由于在半導(dao)體制造工藝(yi)中形成氧化(hua)膜而導(dao)致質量下降。而氣體中含有的(de)微粒,幾乎在半導(dao)體制造的(de)整個過程中都有影(ying)響。在熱處理工序中,堿金屬微粒使氧化(hua)膜和(he)硅的(de)界面特(te)性(xing)產生異常,引起耐壓性(xing)差或(huo)電氣特(te)性(xing)劣(lie)化(hua) 。
另外,在(zai)高溫(wen)處理中,重金屬微粒向硅(gui)的內部侵入擴散,誘發結晶缺(que) 陷(xian),是導(dao)致半(ban)導(dao)體器(qi)件特性(xing)裂化的原(yuan)因。另外,在(zai)腐蝕工(gong)(gong)序中,微粒附著在(zai)硅(gui)片上,是導(dao)致接觸部分(fen)和周圍(wei)的腐蝕加工(gong)(gong)精度降(jiang)低 的原因。因此(ci)高純氣(qi)體中含塵量比(bi)其純度在(zai)一(yi)定意義上顯得更為(wei)重要(yao),控制(zhi)微粒(li)污染成為(wei)高純氣(qi)體輸送管路(lu)的一(yi)個(ge)核心 內容(rong)。微粒(li)污染源來(lai)自兩個方面(mian):一 是粘附在管壁(bi)上的微(wei)粒(li) ,二是(shi)因磨損(sun)或腐蝕 等原因管壁(bi)產生的微粒。
在(zai)配管(guan)系統上應(ying)分段設置(zhi)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi)來去(qu)除微粒,通常應(ying)采用兩(liang)級以上的氣(qi)(qi)體(ti)(ti)過(guo)(guo)濾。在(zai)潔(jie)凈廠房內一般設置(zhi)預(yu)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi)和高精度末(mo)端氣(qi)(qi)體(ti)(ti)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi),預(yu)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi)是設在(zai)潔(jie)凈廠房的氣(qi)(qi)體(ti)(ti)入口室的氣(qi)(qi)體(ti)(ti)干(gan)管(guan)上,對氣(qi)(qi)體(ti)(ti)進行預(yu)過(guo)(guo)濾,以減輕末(mo)端氣(qi)(qi)體(ti)(ti)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi)的負擔(dan),并延(yan)長(chang)其使用壽命,高精度末(mo)端氣(qi)(qi)體(ti)(ti)過(guo)(guo)濾器(qi)(qi)應(ying)設在(zai)鄰近用氣(qi)(qi)點處。
在系統(tong)設計中,應充分考慮系統(tong)末(mo)端的放(fang)散管(guan),各主管(guan)和(he)支干管(guan)末(mo)端的吹(chui)掃閥及必要(yao)的取樣口,為運行前(qian)的吹(chui)掃、置(zhi)換和(he)維修帶來方便,系統(tong)中應減少(shao)不流動(dong)氣(qi)體的“死空間”,不應(ying)出現“盲管”等不易(yi)吹(chui)除(chu)的死角(jiao),以避(bi)免(mian)微粒的積聚。
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